精密烘箱在光刻過程中的應(yīng)用
小型烘箱的用途很廣，在很多的實驗中也都有用到，就講一講小型烘箱在光刻過程中的應(yīng)用！
1.涂光刻膠
在涂光刻膠之前，將清洗干凈的硅片表面涂上附著性增強劑或?qū)⒐杵旁诙栊詺怏w中進行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與硅片之間的粘附性，防止顯影時光刻膠的脫落以及防止?jié)穹ǜg時產(chǎn)生側(cè)向腐蝕。
光刻膠的涂覆使用甩膠機來進行的。，用真空吸法將硅片吸在甩膠機的吸盤上，將有粘度的光刻膠滴在鬼片的表面上，然后以設(shè)定的轉(zhuǎn)速和時間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在硅片表面被均勻的展開，多余的光刻膠被，獲得厚度的光刻膠膜。光刻膠的厚度是由光刻膠的粘度和甩膠機的轉(zhuǎn)速來控制的！
2.預(yù)烘干
由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80攝氏度左右的小型烘箱中進行烘干，小型烘箱是惰性氣體的環(huán)境，烘干時間一般是15-30分鐘，以便除去光刻膠中的溶劑。
3.掩模對準
由于集成電路制作過程是逐層加工的，各層之間圖形的位置不能錯位，所以每次光刻時都要講掩膜板與硅片上的對中記號對準，以保證掩膜板上的圖形與硅片上已加工的各層圖形套準
4.曝光
將高壓水銀燈G線（波長為436nm）或I線（波長為365nm）通過掩膜照射在硅片上的感光膠上，使光刻膠獲得與掩膜圖形相同的感光圖形！
5.顯影
將曝光后的硅片浸泡到特定的顯影液中，并控制時間使得未曝光的部分被溶解掉，從而將圖形復(fù)制到光刻膠上，顯影后的圖像受到顯影液的影響，顯影后的硅片需要用純凈水進行清洗！
6.后烘干
為了使殘留在光刻膠中的有機溶液揮發(fā)掉，提高光刻膠的粘結(jié)性及光刻膠的耐腐蝕性，通常將硅片放在120-200攝氏度的小型烘箱，而將硅片放在120度到200度的溫度下烘干20-30分鐘。
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